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无需溅射刻蚀的深度探索
下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs),结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析,可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。
XPS 和HAXPES 的结合使用,可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析,从而避免离子束溅射引起的损伤。
PHI 硬X射线光电子能谱仪深层界面的分析
在两种x射线源中,只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外,通过比较,光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时,氧化物的强度较高,表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。
PHI 硬X射线光电子能谱仪内核电子的探测
Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子,通常有多个额外的跃迁可用于分析。
应用领域
主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。
用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料,其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc.提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS" 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪,具有*性能、高自动化和灵活的扩展能力,可以满足客户的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能 分析平台在各种研究领域的应用
电池 AES/Transfer Vessel
“LiPON/LiCoO 2 横截面的 pA-AES Li 化学成像"
Li 基材料例如 LiPON,对电子束辐照敏感。
PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流(300pA)下快速获取 AES 化学成像。
有机器件 UPS/LEIPS/GCIB
使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 测量能带结构
(1)C60薄膜表面
(2)C60薄膜表面清洁后
(3)C60薄膜 /Au 界面
(4)Au 表面
通过 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。
半导体 XPS/HAXPES
半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成,它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息,例如栅极氧化膜下的 GaN,使用 HAXPES 是非常有必要的。
微电子 HAXPES
微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于 XPS 分析数据,这是由于Sn 球表面被氧化,随着深度的加深,金属态Sn的含量越高,正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特点。
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